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Campagne de collecte 15 septembre 2024 – 1 octobre 2024 C'est quoi, la collecte de fonds?

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Campagne de collecte 15 septembre 2024 – 1 octobre 2024

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1

Luminescence of CdSnP2 doped with different impurities

E. I. Leonov, V. M. Orlov, V. I. Sokolova, Yu. G. Shreter

Journal:

physica status solidi (a)

Année:

1971

Langue:

english

Fichier:

PDF, 294 KB

english, 1971

2

Kinetic mechanism of surface instability evolution during etching, corrosion, and growth of elastically stressed solids

Yu. G. Shreter, Yu. T. Rebane, D. V. Tarkhin, B. K. Barakhtin, V. V. Rybin

Journal:

Physics of the Solid State

Année:

2001

Langue:

english

Fichier:

PDF, 442 KB

english, 2001

3

Nonuniformity of carrier injection and the degradation of blue LEDs

N. I. Bochkareva, A. A. Efremov, Yu. T. Rebane, R. I. Gorbunov, A. V. Klochkov, Yu. G. Shreter

Journal:

Année:

2006

Langue:

english

Fichier:

PDF, 293 KB

english, 2006

4

Cathodoluminescence and Transmission Electron Microscopy Study of the Influence of Crystal Defects on Optical Transitions in GaN

G. Salviati, M. Albrecht, C. Zanotti-Fregonara, N. Armani, M. Mayer, Y. Shreter, M. Guzzi, Yu. V. Melnik, K. Vassilevski, V. A. Dmitriev, H. P. Strunk

Journal:

physica status solidi (a)

Année:

1999

Langue:

english

Fichier:

PDF, 469 KB

english, 1999

5

Non-destructive identification of end-of-range damage in ion-implanted and annealed silicon

Yu. Shreter, J.H. Evans, B. Hamilton, A.R. Peaker, C. Hill, D.R. Boys, C.D. Meekison, G.R. Booker

Journal:

Applied Surface Science

Année:

1993

Langue:

english

Fichier:

PDF, 338 KB

english, 1993

6

Luminescence spectra of ternary compounds of Tl3BX4 type

N. A. Goryunova, V. M. Orlov, V. I. Sokolova, E. V. Tsvetkova, Yu. G. Shreter

Journal:

physica status solidi (a)

Année:

1972

Langue:

english

Fichier:

PDF, 92 KB

english, 1972

7

Optical properties of dislocations in silicon crystals

Yu. G. Shreter, Yu. T. Rebane, A. R. Peaker

Journal:

physica status solidi (a)

Année:

1993

Langue:

english

Fichier:

PDF, 308 KB

english, 1993

8

A Classification of the Dislocation-Related Photoluminescencence in Silicon

Yu. S. Lelikov, Yu. T. Rebane, S. Ruvimov, A. A. Sitnikova, D. V. Tarhin, Yu. G. Shreter

Journal:

physica status solidi (b)

Année:

1992

Langue:

english

Fichier:

PDF, 647 KB

english, 1992

9

Magnetic Resonance of Conduction Electrons in Dislocated Germanium

A. Pilar von Pilchau, H. Alexander, M. Wattenbach, Yu. Shreter, A. Ionov

Journal:

physica status solidi (b)

Année:

1992

Langue:

english

Fichier:

PDF, 464 KB

english, 1992

10

Instability of an elastically compressed silicon surface under etching

Yu. G. Shreter, D. V. Tarkhin, S. A. Khorev, Yu. T. Rebane

Journal:

Physics of the Solid State

Année:

1999

Langue:

english

Fichier:

PDF, 217 KB

english, 1999

11

High-voltage optoelectronic voltage converter using a cascade of tunnel-coupledp+-i-n+diodes

Yu. T. Rebane, Yu. G. Shreter

Journal:

Technical Physics Letters

Année:

1998

Langue:

english

Fichier:

PDF, 187 KB

english, 1998

12

Tunnel-recombination currents and electroluminescence efficiency in InGaN/GaN LEDs

N. I. Bochkareva, E. A. Zhirnov, A. A. Efremov, Yu. T. Rebane, R. I. Gorbunov, Yu. G. Shreter

Journal:

Année:

2005

Langue:

english

Fichier:

PDF, 95 KB

english, 2005

13

The effects of interface states on the capacitance and electroluminescence efficiency of InGaN/GaN light-emitting diodes

N. I. Bochkareva, E. A. Zhirnov, A. A. Efremov, Yu. T. Rebane, R. I. Gorbunov, A. V. Klochkov, D. A. Lavrinovich, Yu. G. Shreter

Journal:

Année:

2005

Langue:

english

Fichier:

PDF, 75 KB

english, 2005

14

Effect of the joule heating on the quantum efficiency and choice of thermal conditions for high-power blue InGaN/GaN LEDs

A. A. Efremov, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, D. A. Lavrinovich, Yu. T. Rebane, D. V. Tarkhin, Yu. G. Shreter

Journal:

Année:

2006

Langue:

english

Fichier:

PDF, 217 KB

english, 2006

15

Determination of the coefficient of light attenuation in thin layers of light-emitting diodes

A. A. Efremov, D. V. Tarkhin, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, Yu. T. Rebane, Yu. G. Shreter

Journal:

Année:

2006

Langue:

english

Fichier:

PDF, 194 KB

english, 2006

16

Quantum efficiency and formation of the emission line in light-emitting diodes based on InGaN/GaN quantum well structures

N. I. Bochkareva, D. V. Tarkhin, Yu. T. Rebane, R. I. Gorbunov, Yu. S. Lelikov, I. A. Martynov, Yu. G. Shreter

Journal:

Année:

2007

Langue:

english

Fichier:

PDF, 226 KB

english, 2007

17

Measurement of the absorption coefficient for light laterally propagating in light-emitting diode structures with In0.2Ga0.8N/GaN quantum wells

Yu. S. Lelikov, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, I. A. Martynov, Yu. T. Rebane, D. V. Tarkin, Yu. G. Shreter

Journal:

Année:

2008

Langue:

english

Fichier:

PDF, 206 KB

english, 2008

18

Optical properties of blue light-emitting diodes in the InGaN/GaN system at high current densities

N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, A. V. Klochkov, Yu. S. Lelikov, I. A. Martynov, Yu. T. Rebane, A. S. Belov, Yu. G. Shreter

Journal:

Année:

2008

Langue:

english

Fichier:

PDF, 211 KB

english, 2008

19

Effect of localized tail states in InGaN on the efficiency droop in GaN light-emitting diodes with increasing current density

Bochkareva, N. I., Voronenkov, V. V., Gorbunov, R. I., Zubrilov, A. S., Latyshev, P. E., Lelikov, Yu. S., Rebane, Yu. T., Tsyuk, A. I., Shreter, Yu. G.

Journal:

Année:

2012

Langue:

english

Fichier:

PDF, 386 KB

english, 2012

20

Photoluminescence and Electronic Structure of Dislocations in Si Crystals

Lelikov, Yu., Rebane, Yu., Ruvimov, S., Tarhin, D., Sitnikova, A., Shreter, Yu.

Journal:

Materials Science Forum

Année:

1992

Fichier:

PDF, 542 KB

1992

21

Dislocation-Related Absorption, Photoluminescence and Birefringence in Deformed n-ZnSe Crystals

Shreter, Yu.G., Rebane, Y.T., Klyavin, O.V., Aplin, P.S., Axon, C.J., Young, W.T., Steeds, John W.

Journal:

Solid State Phenomena

Année:

1996

Fichier:

PDF, 450 KB

1996

22

Cathodoluminescence Microscopy of Square Facets in Chemial Vapour Deposited Diamond Films and its Use in Stress Determination

Steeds, John W., Burton, N.C., Lang, A.R., Pickard, D., Shreter, Yu.G., Butler, J.E.

Journal:

Solid State Phenomena

Année:

1996

Langue:

english

Fichier:

PDF, 695 KB

english, 1996

23

Hopping transport in the space-charge region ofp-nstructures with InGaN/GaN QWs as a source of excess 1/fnoise and efficiency droop in LEDs

Bochkareva, N. I., Ivanov, A. M., Klochkov, A. V., Kogotkov, V. S., Rebane, Yu. T., Virko, M. V., Shreter, Y. G.

Journal:

Année:

2015

Langue:

english

Fichier:

PDF, 461 KB

english, 2015

24

Increase in the Shockley–Read–Hall recombination rate in InGaN/GaN QWs as the main mechanism of the efficiency droop in LEDs at high injection levels

Bochkareva, N. I., Rebane, Yu. T., Shreter, Yu. G.

Journal:

Année:

2015

Langue:

english

Fichier:

PDF, 780 KB

english, 2015

25

Efficiency droop in GaN LEDs at high injection levels: Role of hydrogen

Bochkareva, N. I., Sheremet, I. A., Shreter, Yu. G.

Journal:

Année:

2016

Langue:

english

Fichier:

PDF, 553 KB

english, 2016

26

The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells

Bochkareva, N. I., Ivanov, A. M., Klochkov, A. V., Tarala, V. A., Shreter, Yu. G.

Journal:

Technical Physics Letters

Année:

2016

Langue:

english

Fichier:

PDF, 586 KB

english, 2016

27

Amorphous carbon buffer layers for separating free gallium nitride films

Altakhov, A. S., Gorbunov, R. I., Kasharina, L. A., Latyshev, F. E., Tarala, V. A., Shreter, Yu. G.

Journal:

Technical Physics Letters

Année:

2016

Langue:

english

Fichier:

PDF, 402 KB

english, 2016

28

Hopping conductivity and dielectric relaxation in Schottky barriers on GaN

Bochkareva, N. I., Voronenkov, V. V., Gorbunov, R. I., Virko, M. V., Kogotkov, V. S., Leonidov, A. A., Vorontsov-Velyaminov, P. N., Sheremet, I. A., Shreter, Yu. G.

Journal:

Année:

2017

Langue:

english

Fichier:

PDF, 3.41 MB

english, 2017

29

High Thermal Conductivity of Bulk GaN Single Crystal: An Accurate Experimental Determination

Inyushkin, A. V., Taldenkov, A. N., Chernodubov, D. A., Voronenkov, V. V., Shreter, Yu. G.

Journal:

Année:

2020

Fichier:

PDF, 288 KB

2020